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研究成果

全黑组件电池

采用独特的PECVD工艺;
由此电池做成的组件成全黑色;
做成组件后看不到晶界;
提升电池效率0.1%;
增强抗PID效果。

抗PID电池

在PECVD工艺前采用氧化工艺形成一层抗PID氧化膜;
采用普通的EVA即可通过96小时,85%/85℃,-1000V的PID测试;
加强表面钝化,提升电池效率;
电池外观与常规电池完全一致。

四主栅电池

正反面采用4主栅结构;
降低组件的串联电阻,提升填充因子,从而提升组件的CTM值,让利于客户;
提升电池效率,平均效率达到17.9%;

100根栅线电池

100根正电极栅线设计;
降低组件的串联电阻,提升填充因子,从而提升组件的CTM值,让利于客户;
平均电池效率达到17.8%

背场钝化电池

采用Al2O3/Si3N4叠层膜做为背场钝化层;
平均开路电压达到643mv;
效率比常规电池提升0.7%;电池平均效率达到18.3%;
电池外观与常规电池完全一致;

技术优势

1.  先进的印刷工艺,采用主栅和副栅分开印刷,根据各部位对浆料特性的不同要求,分别选择最适合的银浆,达到最佳的综合电性能和可焊性,同时降低材料成本。

 

2.  严格PID控制工艺,通过表面氧化及钝化膜折射率双重措施,改善电池片的PID特性。功率衰减可控制在5%以下,长期实测值2%以内。(测试条件:温度85℃,湿度85%,电压-1000V,时间96H,非抗PID EVA)

 
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